[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 98106626.7 | 申请日： | 1998-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1160766C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 松浦正纯 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在以往的用硅烷和过氧化氢作为混合气体，按CVD法形成的氧化硅膜中，在连接上下配线的连接孔(通道)内，发生称为有毒掺杂孔的配线不良。本发明用以硅原子为主要元素，所述硅原子有氧键和碳键，并且，至少有一部分硅原子有氢键的材料来形成半导体器件的层间绝缘膜。该层间绝缘膜的脱水量比有硅-氧键和硅-甲基键的硅原子所构成膜的脱水量低。此外，作为层间绝缘膜的形成方法，使用有机硅烷作为反应性气体，将它与过氧化氢的混合气体，按化学气相生长法形成层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述器件包括有层间绝缘膜，其特征在于，该层间绝缘膜由一种以硅原子为主要成分，所述硅原子有氧键和碳键，并且，至少一部分所述硅原子有氢键的材料形成，所述层间绝缘膜的脱水量比有硅-氧键和硅-甲基键的硅原子所构成的膜的脱水量少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98106626.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子零件的制造方法和制造装置
- 下一篇：纳米多孔二氧化硅的蒸气沉积工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
