[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98106629.1 申请日: 1998-02-21
公开(公告)号: CN1100349C 公开(公告)日: 2003-01-29
发明(设计)人: 池上五郎 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康,王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,它包括一个在其表面具有若干个突出电极的半导体晶片;一个在其表面具有若干焊盘电极的布线板,当布线板与半导体晶片连接时每一个焊盘电极与相应的一个突出电极啮合;和一个夹在半导体晶片与布线板之间的使其相互连接的树脂层,每个突出电极与突出部和突出部能够装入的凹槽的一个一同形成,每个焊盘电极和另一个一同形成。这样,即使树脂层断裂使突出和焊盘电极之间的啮合减弱,也能确保两个电极之间的良好的电连接。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:(a)一个在其表面上具有若干个突出电极的半导体晶片;(b)一个在其表面上具有若干焊盘电极的布线板,当所述的布线板与所述的半导体晶片连接时每一个所述的焊盘电极与相应的一个所述的突出电极啮合;和(c)一个夹在所述的半导体晶片与所述的布线板之间的使其相互连接的树脂层,其特征在于每个所述的突出电极与突出部和适于突出部安装的凹槽或通孔中的其中一个一同形成,每个所述的焊盘电极与突出部和适于突出部安装的凹槽或通孔中的另一个一同形成。
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