[发明专利]具有输入保护电路的半导体集成电路无效
| 申请号： | 98107033.7 | 申请日： | 1998-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1130771C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 菅宏一郎 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H03K17/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体集成电路，具有输入保护电路，该保护电路包含接收由外部端子输入的信号的输入初级电路和根据输入初级电路的输出信号实行半导体集成电路本来目的的信号处理动作的内部电路，当在上述外部端子上外加足以破坏输入初级电路的过电压时，加在外部端子上的电荷能在电源电位点或在接地电位点放电，为了在内部电路供给电源电位或接地电位，外部端子上所加的电荷的放电点是在内部电路的区域内配置了的电源电位馈线或接地电位馈线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 输入 保护 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，具有输入保护电路，该输入保护电路包含接收由外部端子输入的信号的输入初级电路和根据输入初级电路的输出信号实行该半导体集成电路本来目的的信号处理动作的内部电路，当在上述外部端子上外加足以破坏上述输入初级电路的过电压时，使加在外部端子上的电荷能在电源电位点或在接地电位点放电，其特征在于，通过在上述内部电路所含任一构成逻辑门电路的MOS型场效应晶体管，由于在该MOS型场效应晶体管供给电源电位或接地电位，使上述外部端子上附加的电荷能在上述内部电路的区域内配置了的电源电位馈线或接地电位馈线放电。
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