[发明专利]多存储体同步型半导体存储装置无效
| 申请号： | 98107063.9 | 申请日： | 1998-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1147865C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 樱井干夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用从存储体选择信号产生电路(5)来的存储体选择信号，使多个存储器存储体(MB0～MB3)活性化，进行存储单元的选择。当已指定特殊操作模式时，模式设定电路(4)，使从该存储体选择信号产生电路来的存储体选择信号全部变成活性状态，将全部存储器存储体同时向活性/非活性状态驱动。提供一种可以以高速向存储单元进行存取，并且可以有效地选择存储单元的多存储体同步型半导体存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 同步 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，具有各自互相独立可以向活性状态和非活性状态驱动且具有各自排列成行列状的多个存储单元的多个存储体，其特征是具有：与上述多个存储体各自对应设置，在活性化时用于各自进行对应的存储体的存储单元的选择操作的多个存储单元选择装置；和响应操作模式指示信号和存储单元选择指示，在上述操作模式指示信号指定进行数据存取的通常操作时，使对上述多个存储单元选择装置之中的2个以上的规定数的存储体设置的存储单元选择装置同时活性化并作行选择的控制装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98107063.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储装置
- 下一篇：含多级单元的快擦存储器的读出电路
