[发明专利]电极为金属合金的半导体器件无效
| 申请号： | 98107066.3 | 申请日： | 1998-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1113412C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木功一;佐藤定信;山下由美子 | 申请（专利权）人： | 法梭半导体 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L21/60;H01B1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于半导体器件的由第一和第二金属层组成的金属合金中，所述第一金属层由铜和铝组成，其中铜大约占0.1-10重量百分比，其余部分基本上为铝，而第二金属层由钯和金组成，其中钯大约占0.5-5重量百分比，其余部分基本上为金。 | ||
| 搜索关键词： | 极为 金属 合金 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件焊盘电极的一种金属合金层，由第一和第二两种金属层形成，所述第一金属层由铜和铝组成，其中铜占0.1-10重量百分比，其余部分基本上为铝，所述第二金属层由钯和金组成，其中钯占0.5-5重量百分比，其余部分基本上为金。
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