[发明专利]等离子体显示板装置及其生产方法无效
| 申请号： | 98107090.6 | 申请日： | 1998-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1197281A | 公开（公告）日： | 1998-10-28 |
| 发明（设计）人： | 神田博司;J·D·史密斯;T·R·苏伊斯 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01J17/49 | 分类号： | H01J17/49;G09G3/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过使用光敏厚膜导体组合物制造的PDP装置,其中黑电极存在于基片和导体配置电极之间。另外,本发明涉及制造PDP装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 显示 装置 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种AC等离子体显影板装置，该装置包含相互间隔配置的前和后绝缘基片；含有面对充有离子化气体的放电空间的并联的第一组电极复合物和第二组电极复合物的电极配置；第一组和第二组电极复合物以相互垂直的关系面对面放置，穿过放电空间，在具有特定电极图形的绝缘基片的表面上形成，在至少一个绝缘基片上用绝缘材料涂覆电极配置，其中在至少前绝缘基片上的电极复合物含有：导体电极配置，该配置含有一组在连结到在相同的基片上的相应的母线导线上的每个基片上形成的导体电极和；光可成形的黑电极，它含有RuO2，基于钌的多元氧化物或其混合物的至少之一的导电层，该层在基片和导体电极配置之间形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳幕尔杜邦公司，未经纳幕尔杜邦公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98107090.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
