[发明专利]硬激励栅极可关断可控硅的栅极单元有效
| 申请号： | 98107153.8 | 申请日： | 1998-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1123070C | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | H·格吕宁;E·皮乔尼 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在硬激励的栅极可关断可控硅(GTO)(10)的栅极单元(47)中，至少某些激励所需的电子组件(37，...，42)安排在印刷电路板(34)上。为了达到低电感接触，印刷电路板(34)包围GTO(10)，处在GTO(10)的阳极侧和阴极侧之间的与GTO(10)的半导体衬底(17)平行的平面上，并与GTO(10)的阴极触点(14)和栅极连接片(22)直接连接。在这样的栅极单元中，把组件(37，...，42)安排在围绕GTO(10)的印刷电路板(34)上，紧紧邻接GTO(10)的地方，从而实现结构紧凑、而同时改善机械稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 激励 栅极 可关断 可控硅 单元 | ||
【主权项】：
1.一种硬激励栅极可关断可控硅(GTO)(10)的栅极单元(47)，其特征在于：在所述栅极单元(47)中，至少激励所需的某些电子组件(37，…，42)安排在印刷电路板(34)上，并被屏蔽板(35)包围，为了实现低电感接触，所述印刷电路板(34)包围GTO(10)，处于GTO(10)的阳极侧与阴极侧之间的与GTO(10)的半导体衬底(17)平行的平面上，并与GTO(10)的阴极触点(14)和栅极连接片(22)直接连接，其中组件(37，…，42)安排在印刷电路板(34)上紧靠GTO(10)的地方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
