[发明专利]高读出速度的多值只读存储装置

摘要

在一个多值只读存储装置中，每一个用于存储对应N(N＝3，4…)个门限电平(VTO、VT1…)的N个信息状态的多个存储单元(C00、C10、…)被接到多条字线(WL0、WL1…)，并且用于存储所说的N个信息状态的多个基准存储器单元(RC0′、RC1′…)被接到基准字线(WLR′)一个字线选择电路(2′-1，2′-2)选择字线之一并选择基准字线，以便使得在选择的字线和在所说的基准字线的电压逐渐地增加。一个锁存定时产生电路(54′)，根据基准存储器单元输出的信号(SA0′、SA1′…)产生锁存定时信号(LT0、LT1…)，以及一个锁存电路(50′、51′)，根据所说的锁存定时信号锁存所说的存储器单元的输出信号(SA0、SA1…)一个编码器电路(55′)，根据该锁存电路输出的信号(L0、L1…)产生输出的数据(D0、D1…)。

主权项

1.一个多值只读存储装置，包括：多条字线(WL0、WL1、...)；连接到所说的字线的多个存储器单元(C00、C10、...)，每一个用于存储对应N个门限电压(VT0、VT1、...)的N(N＝3，4...)个信息状态的多个存储单元；其特征在于，所述多值只读存储装置还包括：一条基准字线(WLR′)；多个基准存储器单元(RC0′、RC1′、...)，连接到所说的基准字线，用于存储所说的N个信息状态；一个字线选择电路(2′-1，2′-2)，连接到所说的字线和所说的基准字线，用于选择所说的字线之一和选择所说的基准字线；一个电压产生电路(6′)，连接到所说的字线选择电路，用于逐渐地增加在选择的所说的字线之一的电压和在所说的基准字线的电压；第一传感放大器电路(4-1)，连接到所说的存储器单元，用于放大所说的存储单元所选之一的电压；第二传感放大器电路(4-2)，连接到所说的基准存储器单元，用于放大所说的基准存储单元的电压；一个锁存定时产生电路(54′)，连接到所说的第二传感放大器电路，用于根据所说的第二传感放大器电路的输出信号(SA′、SA′、...)产生锁存定时信号(LT0、LT1、...)；一个锁存电路(50′、51′、...)，连接到所说的锁存定时产生电路和所说的第一传感放大器电路，用于根据所说的锁存定时信号锁存所说的第一传感放大器电路的一个输出信号(SA0、SA1、...)；和一个编码器电路(55′)，连接到所说的锁存电路，用于根据所说的锁存电路的输出信号(L0、L1、...)产生输出的数据(D0、D1、...)。