[发明专利]具有选择电路的半导体存储器无效
| 申请号： | 98107951.2 | 申请日： | 1998-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1120500C | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 黑宫修;谷田进;早川吾郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;三菱电气工程株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器包括控制电路、测试模式控制电路、内部周期设定电路及地址锁存电路。控制电路检测是否指定了测试模式。测试模式控制电路检测是否指定了自干扰测试模式。内部周期设定电路在测试模式下且在指定了自干扰测试模式的情况下，重复产生给定周期的时钟信号。同时，地址锁存电路锁存在行地址选通信号下降沿时刻的地址。行译码器响应该时钟信号而激活，成为重复选择对应于已锁存的地址的字线的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择 电路 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：存储单元阵列，具有在多个行方向上及多个列方向上配置的多个存储单元；测试控制装置，用于响应从外部接受的控制信号，产生用于实施特定测试的测试控制信号；时钟发生装置，用于响应来自所述测试控制装置的测试控制信号，重复产生给定周期的时钟信号；其特征在于，具有：行选择装置，用于响应来自所述时钟发生装置的所述时钟信号，激活所述存储单元阵列的行选择工作；和锁存装置，该装置用于在所述特定测试开始时把对应于从外部接受的地址的内部地址信号在所述特定测试期间内进行锁存；所述行选择装置响应所述时钟信号而被激活，进行重复选择对应于所述已锁存的内部地址信号的所述存储单元阵列的行的选择工作。
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