[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 98108077.4 | 申请日： | 1998-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1215912A | 公开（公告）日： | 1999-05-05 |
| 发明（设计）人： | 增田俊夫;三谷克彦;加治哲德;田中润一;渡边克哉;白米茂;大坪徹;佐佐木一郎;福本英士;小泉真 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法,具有磁场形成装置,通过磁场来控制电子共振,以控制等离子体状态和腐蚀气体的离解状态,由此,即使对于大口径的晶片,也能够同时兼顾处理速度和细微加工性、选择比和均匀性。在真空处理室内的一对电极间施加20MHz至300MHz的高频功率,通过磁场形成装置而在电极间形成与电极表面平行的磁场。而且,通过在100高斯以下的范围中控制磁场强度,通过电极包层部中的电场和磁场的相互作用来控制电子回旋加速器共振、电子包层共振的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置，包括设在处理室中的一对电极、在该一对电极之间施加高频功率的电源、和向所述处理室内的试验样品运送机构，在所述处理室内处理装载在所述电极一方上的试验样品，其特征在于，具有磁场形成装置，它在所述一对电极的间隙中形成与所述电极的主要表面平行的磁场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
