[发明专利]具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法无效
| 申请号： | 98108246.7 | 申请日： | 1998-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1162919C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 只友一行;宫下启二;冈川広明;平松和政;大内洋一郎;泽木宣彦;矢桥胜典;柴田巧 | 申请（专利权）人： | 三菱电线工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/322;H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒;李亚非 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种GaN族晶体基底部件，它包括基底衬底，部分覆盖所述基底衬底的表面的以得到掩模区的掩模层，在其上生长覆盖掩模层的GaN族晶体层，GaN族晶体层的一部分与基底衬底的无掩模区直接接触，它在半导体元件的用途，它的制造和控制位错线的方法。本发明的制造方法能够在GaN族晶体层中制造位于掩模区或无掩模区上面的具有低位错密度的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低位 密度 氮化 晶体 基底 部件 及其 用途 制法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN族晶体基底部件，包括：基底衬底；覆盖部分所述基底衬底表面的掩模层，以给出掩模区；在掩膜层上生长并覆盖该掩模层的GaN族晶体层，GaN族晶体层部分与基底衬底的无掩模区直接接触。
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