[发明专利]有闪速电可擦可编程只读存储器单元的非易失性存储设备无效
| 申请号： | 98108380.3 | 申请日： | 1998-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1125467C | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李东起;郑泰圣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种闪速存储器，包括：存储单元阵列，其具有源极、漏极、浮栅和控制栅，该阵列包括形成在存储单元上的导电板，以在存储单元和导电板之间进行电容耦合；第一电压源，用于提供第一电压；块译码器，用于响应控制信号，将第一电压源的第一电压提供给被选择的其中一个存储单元的控制栅；第二电压源，用于提供第二电压；和分段译码器，用于响应控制信号，在所述被选择的其中一个存储单元的控制栅已被充电到预定电压电平后，将第二电压源的第二电压提供给所述被选择的其中一个存储单元的导电板。 | ||
| 搜索关键词： | 有闪速电可擦 可编程 只读存储器 单元 非易失性 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器，包括：存储单元阵列，其具有源极、漏极、浮栅、和控制栅，该阵列包括形成在存储单元上的导电板，以便在存储单元和导电板之间进行电容耦合；第一电压源，用于提供第一电压；转移晶体管，用于将第一电压源的第一电压提供给被选择的其中一个存储单元的控制栅；第二电压源，用于提供第二电压；和选择晶体管，用于在所述被选择的其中一个存储单元的控制栅已被充电到预定电压电平后将第二电压源的第二电压提供给所述被选择的其中一个存储单元的导电板。
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