[发明专利]能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法无效
申请号: | 98108828.7 | 申请日: | 1998-04-02 |
公开(公告)号: | CN1198002A | 公开(公告)日: | 1998-11-04 |
发明(设计)人: | 松原义久;远藤和彦 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王忠忠,张志醒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在非晶氟化碳膜与金属之间的界面放置诸如氮化钛高熔点含氮金属膜。由于高熔点含氮金属膜的防止氟扩散的功能,得到的结构能防止加热处理时诸如金属与氟反应等问题,也可以解决金属膜的塌下或膨胀。另外,在制造步骤中可以引入热处理步骤,所以可以完成实用的由低介电常数非晶碳构成的多层布线结构的LSI制备工艺。 | ||
搜索关键词: | 能用 介电常数 氟化 作为 绝缘材料 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其绝缘材料至少部分由非晶氟化碳膜构成,该器件包括:至少部分在所说非晶氟化碳膜与金属材料之间的界面处包括高熔点含氮金属膜的膜部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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