[发明专利]能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 98108828.7 申请日: 1998-04-02
公开(公告)号: CN1198002A 公开(公告)日: 1998-11-04
发明(设计)人: 松原义久;远藤和彦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/768
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王忠忠,张志醒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在非晶氟化碳膜与金属之间的界面放置诸如氮化钛高熔点含氮金属膜。由于高熔点含氮金属膜的防止氟扩散的功能,得到的结构能防止加热处理时诸如金属与氟反应等问题,也可以解决金属膜的塌下或膨胀。另外,在制造步骤中可以引入热处理步骤,所以可以完成实用的由低介电常数非晶碳构成的多层布线结构的LSI制备工艺。
搜索关键词: 能用 介电常数 氟化 作为 绝缘材料 半导体器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其绝缘材料至少部分由非晶氟化碳膜构成,该器件包括:至少部分在所说非晶氟化碳膜与金属材料之间的界面处包括高熔点含氮金属膜的膜部件。
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