[发明专利]制造等离子体寻址电光显示器的方法无效
申请号: | 98108860.0 | 申请日: | 1998-05-20 |
公开(公告)号: | CN1114897C | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 关敦司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G09F9/302 | 分类号: | G09F9/302;H01J9/02;G03C5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造等离子体寻址显示器的方法。其中显示单元包括中介体,上基体和其间的电光材料。等离子体单元包括下基体和在其间形成的由放电电极和阻挡肋组成的多行放电道。所述方法包括:在下基体的前表面上形成条形图案的放电电极;在整个放电电极表面铺上一定厚度的感光绝缘材料;以放电电极为掩模从下基体的背面对绝缘材料进行曝光,接着进行显影,在放电电极的上表面上形成阻挡肋。 | ||
搜索关键词: | 制造 等离子体 寻址 电光 显示器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造等离子体寻址电光显示器的方法,其结构为显示单元叠置在等离子体单元之上,显示单元包括一个中介体,一个具有信号电极列的上基体和位于这二者之间的电光材料,等离子体单元包括一个与中介体连结的由透明材料制成的下基体和在这二者之间形成的由放电电极和阻挡肋组成的多行放电道,所述的方法包括:第一步,在下基体的前表面上形成条形图案的各具侧表面和上表面的放电电极;第二步,在整个放电电极表面施加一定厚度的感光绝缘材料;第三步,以放电电极为掩模从下基体的背面对绝缘材料进行曝光,接着进行显影,在放电电极的上表面上形成阻挡肋。
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