[发明专利]半导体衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 98108877.5 | 申请日： | 1998-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1118085C | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 佐藤信彦;米原隆夫;坂口清文 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片，在利用粘结晶片制备的衬底中，粘结后，在形成于第一Si衬底(2)的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离，由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后，通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀，就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体衬底的方法，包括步骤：制备第一衬底，其中有多孔区和形成在多孔区上的无孔层；将第一衬底的无孔层的表面粘接到第二衬底的表面；将第一衬底与第二衬底相互分离，使无孔层转移到第二衬底上，以及除掉第二衬底的分离表面上多孔区的残留部分，或处理无孔层的残留部分，使分离表面光滑，其特征在于：多孔区包括至少有孔隙率不同的两层，制备第一衬底的步骤包括形成厚度为1μm以下的第一多孔层、孔隙率高并与第一多孔层相邻的第二多孔层、以及与第一多孔层相邻的无孔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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