[发明专利]等离子体处理方法及设备有效
| 申请号： | 98108961.5 | 申请日： | 1998-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1132233C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 森山公一朗;青田幸人;金井正博;大利博和 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种等离子体处理方法，包括步骤通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源，以生成等离子体；减小所述第一高频电源的强度，使之降到处理过程中第一高频电源的功率值的100-200％，提高所述第二高频电源的强度，使之升到处理过程中第二高频电源的功率值的70-100％，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得预定值的等离子体强度；使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种利用一第一高频电源和一个频率低于该第一高频电源的第二高频电源进行等离子体处理的方法，该方法包括：放电启动步骤，即通过一阻抗匹配电路向一处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源，以生成等离子体；调节步骤，即减小所述第一高频电源的强度，将所述第一高频电源降到处理时第一高频电源的功率值的100-200％，提高所述第二高频电源的强度，将所述第二高频电源升到处理时第二高频电源的功率值的70-100％，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得一预定值的等离子体强度；和等离子体处理步骤，即，使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值，从而对一待处理的基体进行等离子体处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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