[发明专利]堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法

摘要

一种堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法，包括在半导体衬底中注入深扩散阱；在其中注入第二扩散阱；在第二扩散阱中注入一源/漏极扩散区，形成金属氧化物半导体晶体管。在源/漏极间的沟道区上的衬底的表面上，淀积隧穿氧化层。在沟道区上面的隧穿氧化层上淀积多晶硅栅极。在半导体衬底的表面上淀积绝缘层。在金属氧化物半导体晶体管上形成堆叠电容器。

主权项

1.一种堆叠栅极存储单元的结构，包括：第一导电型的一深扩散阱，注入在一半导体衬底中，且该深扩散阱与一深扩散电压产生器相连接；第二导电型的一第二扩散阱，注入在该深扩散阱内；一MOS晶体管，包括：一漏极区，以该第一导电型的材料注入在该第二扩散阱中，且该漏极区与一位线电压产生器相连接；一源极区，以该第一导电型的材料注入在该第二扩散阱中，该源极区在距该漏极区一沟道长的距离处，而局限于该第二扩散阱，并且与一源极控制电压产生器耦合；一隧穿氧化层，配置在一沟道区内的该半导体衬底的一上表面上，该沟道长是指在该漏极区与该源极区之间的该沟道区的长度；以及第一多晶硅材料的一栅极，配置在该沟道区上面的该隧穿氧化层上；一绝缘层，配置在该半导体衬底的该表面上且具有多个开口，所述开口与第二扩散阱、该源极区、该漏极区和该栅极相连接；以及一堆叠电容器包括：第二多晶硅材料的一第一极板，淀积在该绝缘层上，该第一极板是由一短路插塞穿过该绝缘层中的所述开口中的一个开口而与该栅极相连接，而该栅极和该第一极板将形成该MOS晶体管的一浮栅；一电容介电层，配置在该第一极板上；以及第三多晶硅材料的一第二极板，配置在该电容介电层上，该第二极板与一字线电压产生器耦合，而该第二极板将形成该MOS晶体管的一控制栅。