[发明专利]电容器及其生产工艺无效
| 申请号： | 98109514.3 | 申请日： | 1998-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1201252A | 公开（公告）日： | 1998-12-09 |
| 发明（设计）人： | 松本武雄 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01G4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电容器,它是通过在下电极外周边之内的下电极的一个区域上形成铁电体层,该铁电体层在铁电体层的侧面由绝缘材料覆盖的状态下变成电容部分,然后在铁电体层上形成上电极而产生的。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种生产电容器的工艺，所述电容器包括上电极、下电极和置于上电极和下电极之间的由铁电体制成的电容部分，至少具有单层或多层结构的所述电极中的一个由对氧具有弱活性的金属、或即使被氧化变为氧化物时也具有导电性的金属，或导电的金属氧化物制成，其特征在于所述工艺包括：形成下电极；在下电极上形成具有比所述铁电体小的介电常数的绝缘层，然后去掉下电极外周边内的绝缘层部分，在所述绝缘膜上形成开孔，以便够到下电极；在所述开孔中形成由铁电体制成的电容部分，以及在电容部分上形成上电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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