[发明专利]纵向晶体管无效
| 申请号： | 98109717.0 | 申请日： | 1998-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1202012A | 公开（公告）日： | 1998-12-16 |
| 发明（设计）人： | 约翰·阿尔斯迈耶 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器单元如DRAM单元中用的纵向晶体管,它具有沟道电容器。该纵向晶体管包括栅,该栅有位于沟道电容器上的水平部分和垂直部分。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种随机存取存储器单元，包括：在衬底中形成的沟道电容器，其中，沟道电容器的顶表面凹入衬底顶表面之下；一浅沟槽隔离(STI)，该STI覆盖部分沟道电容器，以便在沟道电容器上留下剩余部分；一晶体管，相对着STI位于衬底上，该晶体管包括栅，漏和源，该栅包括具有位于衬底表面上的水平部分和涂到沟道电容器上和衬底表面下的剩余部分的垂直部分的导电层；一介质层，位于沟道电容器上，使第二栅部分与沟道电容器隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
