[发明专利]制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98109731.6 | 申请日： | 1998-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1108630C | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 田桑哲也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,傅康 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了防止形成在接触孔或通孔中以及掩埋接触孔或通孔的绝缘膜上的厚金属氮化物膜的破裂或剥落，提供容易去除绝缘膜上的不需要金属膜、而同时留下形成在接触孔中的金属硅化物膜的方法。该方法包括以下步骤用CVD在形成于绝缘膜中的孔中及绝缘膜上淀积钛膜，通过孔底部钛膜与半导体衬底反应形成金属硅化物膜，然后用含卤素的腐蚀气体选择去除金属硅化物膜以外的其它不需要的金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 金属硅 化物膜 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成开口部分，以暴露所述半导体衬底；在所述开口部分和所述绝缘膜上淀积金属膜；通过淀积在所述开口部分的所述金属膜与所述半导体衬底反应形成金属硅化物膜；用含卤素的腐蚀气体选择去除所述金属硅化物膜以外的其它金属膜，其特征在于：所述金属膜为钛膜，所述金属硅化物膜为硅化钛膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
