[发明专利]树脂封装,半导体器件及树脂封装的制造方法有效
| 申请号： | 98109740.5 | 申请日： | 1998-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1134062C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 春田浩一 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/50;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及用于包容半导体芯片的树脂封装，提高耐潮性，降低制造成本。在树脂封装中，具有用于包容半导体芯片的树脂封装主体和与该半导体元件电连接的引线，在和所述的引线中间部分树脂紧密粘接的部分的表面形成氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 树脂 封装 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种树脂封装，其包括：树脂封装主体，用于包容半导体芯片，引线部件，其一端延伸入树脂封装主体内，同时另一端延伸出所述的树脂封装主体的外部，中间部分埋入所述的树脂封装主体内，并且，所述的一端和半导体芯片电连接，在所述的引线构件中间部的表面上，在长度方向0.1mm以上的区域，具有节距为10-100μm的周期的凹凸部分；以及在所述引线部件的所述凹凸部分的表面上形成的氧化层，其厚度大于所述引线部件的其余部分上形成的氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学株式会社，未经三井化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98109740.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
