[发明专利]碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法无效
| 申请号： | 98111054.1 | 申请日： | 1998-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1065291C | 公开（公告）日： | 2001-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杨建荣;王善力;陈新强;方维政;巫艳;于梅芳;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成，热处理样品所需的ＣｄＴｅ覆盖层通过外延后直接生长的方法制备，杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达１００％，空穴浓度可在４×１０＃+[15]到5×10＃+[6]ｃｍ＃+[-3]范围内随意控制。同时，材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。 | ||
| 搜索关键词： | 碲镉汞 分子 外延 材料 真空 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1．一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：a．带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将该碲镉汞样品置于真空封闭的石英安瓿中进行热处理；b．热处理温度在200℃到320℃范围内，通过改变热处理温度将碲镉汞外延材料的77K温度下的空穴载流子浓度调整在5×1015到5×1016cm-3之间。
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