[发明专利]光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置无效
| 申请号： | 98111554.3 | 申请日： | 1998-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1219614A | 公开（公告）日： | 1999-06-16 |
| 发明（设计）人： | 沈波;郑有炓;张荣;周玉刚;陈鹏;胡立群;陈志忠;臧岚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法和装置,将α－Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗,然后将衬底进入采用环绕石英反应器的碘钨灯光辐射加热系统反应室内,抽真空;衬底在H2气氛下高温退火,通入TMG和NH3生长GaN缓冲层,生长GaN外延层,本发明利用光辐射促进了NH3分子分解,有利于抑制GaN外延层中的N空位,得到了近乎完美的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 光辐射 加热 金属 有机化学 汽相淀积 氮化 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法，其特征是将α-Al2O3(蓝宝石)衬底进行表面清洗，然后将衬底进入反应室抽真空(真空高于5.0×10-5Torr)；衬底在H2气氛下高温退火(1050℃-1100℃)，然后在NH3气氛下氨化(1000℃-1050℃)，然后通入TMG和NH3生长GaN缓冲层(500℃-550℃)，生长GaN外延层(900℃-1050℃)；GaN外延层在NH3气氛下退火(900℃-1050℃)；降温取出样品。
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