[发明专利]测定用于最佳静电吸盘箝位电压的晶片翘曲的方法和装置无效
申请号: | 98111662.0 | 申请日: | 1998-12-23 |
公开(公告)号: | CN1150608C | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 马克·霍因基斯;达里尔·雷斯泰诺 | 申请(专利权)人: | 西门子公司;国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H02N13/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄敏 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 确定晶片翘曲以便随后在静电吸盘上处理晶片时将其供给静电吸盘的方法和装置。该装置有静电吸盘和控制装置。静电吸盘有吸持表面,由吸持力吸持晶片,吸持力取决加给静电吸盘的箝位电压。控制装置在晶片处理前检测晶片的固有翘曲,以测量的翘曲确定最小箝位电压在晶片随后处理期间加给静电吸盘。各晶片最小箝位电压值使晶片吸持于吸持表面。控制装置有晶片翘曲测量仪和用测量的翘曲确定随后各晶片处理中用于各晶片的最小箝位电压和有关晶片识别数据并存储在存储器中静电吸盘软件控制器。 | ||
搜索关键词: | 测定 用于 最佳 静电 吸盘 箝位 电压 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理半导体晶片的装置,包括:静电吸盘,其包括在其上安装晶片的吸持表面,其特征在于还包括:箝位电压产生装置,响应控制信号,对静电吸盘产生选择的箝位电压,将相应的吸持力提供给安装于吸持表面上的晶片;和控制装置,用于测量晶片固有翘曲,并根据测量的固有翘曲确定该晶片的最小箝位电压,产生表示确定的最小箝位电压的输出控制信号,传送给箝位电压产生装置,在晶片处理期间将产生的最小箝位电压传送给静电吸盘,其中最小箝位电压有这样的值,即避免晶片的翘曲和背面磨损,同时在吸持表面上吸持晶片;其中,所述控制装置包括:翘曲测量装置,用于测量整个晶片表面上的固有翘曲,产生表示测量的晶片翘曲量的输出控制信号;和控制部件,响应来自翘曲测量装置的输出控制信号,根据测量的固有晶片翘曲,获得晶片的预定最小箝位电压,并在晶片的随后处理期间将获得的最小箝位电压施加给静电吸盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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