[发明专利]厚膜电阻器及其制备方法无效
| 申请号： | 98111669.8 | 申请日： | 1998-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1155009C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 村上守;松野久;早川佳一郎 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/06;H01C17/30;H01C1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种厚膜电阻器，含有：(a)绝缘基片，(b)在绝缘基片的表面上形成的电阻器层，(c)带含有Ag粉和钯或铂或它们的混合物的第一Ag导电层的一对导电垫片，该Ag导电层在绝缘基片上与电阻器层隔开预定的间距放置，从而以导电电阻路径的方向夹住所说的电阻器层；和(d)含有/Ag而无钯或铂或它们的混合物的导电组合物的第二Ag导电层，它们铺设在电阻器层和导电垫片的边缘，从而以将电阻器层电连接到导电垫片上形成导电电阻路径。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜电阻器，含有：(a)绝缘基片，(b)在绝缘基片的表面上形成的电阻器层，(c)带含有Ag粉和钯或铂或它们的混合物的第一Ag导电层的一对导电垫片，其在绝缘基片上与电阻器层隔开预定的间距放置，从而以导电电阻路径的方向夹住所说的电阻器层；和(d)含有Ag导电组合物而无钯或铂或它们的混合物的第二Ag导电层，其铺设在电阻器层和导电垫片的边缘上，将电阻器层电连接到导电垫片上形成导电电阻路径。
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