[发明专利]高纯四氧化三锰的焙烧制造方法无效
| 申请号： | 98112437.2 | 申请日： | 1998-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1083803C | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 段希圣 | 申请（专利权）人： | 段希圣 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 423000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种高纯四氧化三锰的焙烧制造方法，采用硫酸锰和碳酸氢铵为原料。其工艺过程是这样的硫酸锰和碳酸氢铵反应所得到的碳酸锰首先在有氧条件下依次转化为面心立方结构的一氧化锰和正方结构的二氧化锰，然后二氧化锰依次还原为三氧化二锰和四方结构的β-四氧化三锰，最后得到面心立方结构的γ-四氧化三锰，该法制得的四氧化三锰比重大，不易吸湿，不易氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 氧化 焙烧 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高纯四氧化三锰的焙烧制造方法，采用硫酸锰和碳酸氢铵为原料，其特征在于：硫酸锰和碳酸氢铵反应所得到的碳酸锰首先在有氧的条件下依次转化为面心立方结构的一氧化锰和正方结构的二氧化锰，然后二氧化锰在无氧条件下依次生成体心立方结构的α-三氧化二锰和四方结构的β-四氧化三锰，最后得到面心立方结构的γ-四氧化三锰；硫酸锰和碳酸氢铵在溶液中混合反应生成碳酸锰沉淀，温度控制在20-60℃；碳酸锰分解成一氧化锰时温度控制在80-150℃；面心立方结构的一氧化锰氧化为正方结构的二氧化锰时温度时控制在150-500℃；正方结构的二氧化锰转化为体心立方结构的α-三氧化二锰的温度控制在500-600℃；体心立方结构的三氧化二锰还原成四方结构的β-四氧化三锰时温度控制在600-800℃；四方结构的β-四氧化三锰转化为面心立方结构的γ-四氧化三锰过程中温度控制在850-1100℃。
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