[发明专利]一种纳米氮化硼管的制备方法无效

专利信息
申请号: 98113984.1 申请日: 1998-05-14
公开(公告)号: CN1098806C 公开(公告)日: 2003-01-15
发明(设计)人: 成会明;范月英;魏永良;苏革;张伟刚;刘敏;沈祖洪 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B21/064 分类号: C01B21/064
代理公司: 沈阳科苑专利代理有限责任公司 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种纳米氮化硼管的制备方法,其特征在于以TiB2、TaB2、MoB、Mo2B5金属硼化物为催化剂和硼源,以氮气为稀释气,在NH4Cl与N2的摩尔比为1∶5~1∶12的条件下,气相生长生成BN管,其步骤为将上述作为催化剂和硼源的金属硼化物置于反应炉中,在室温下通入稀释气体氮气,并按20~30℃/min的升温速率升温,当反应炉的温度为700~800℃时,在300~400℃下加热NH4Cl使之升华,并随氮气一起进入反应炉,在反应炉温度为1100~1400℃下,恒温生长1~2小时,即得纳米氮化硼管。本发明可以生成比电弧法和激光烧蚀法纯度高和质量高的BN管。
搜索关键词: 一种 纳米 氮化 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米氮化硼管的制备方法,其特征在于:以TiB2、TaB2、MoB、Mo2B5金属硼化物为催化剂和硼源,以氮气为稀释气,在NH4Cl与N2的摩尔比为1∶5~1∶12的条件下,气相生长生成BN管,其步骤为:将上述作为催化剂和硼源的金属硼化物置于反应炉中,在室温下通入稀释气体氮气,并按20~30℃/min的升温速率升温,当反应炉的温度为700~800℃时,在300~400℃下加热NH4Cl使之升华,并随氮气一起进入反应炉,在反应炉温度为1100~1400℃下,恒温生长1~2小时,即得纳米氮化硼管。
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