[发明专利]一种纳米晶体锆基拉维斯相贮氢电极材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 98114228.1 申请日: 1998-08-12
公开(公告)号: CN1120535C 公开(公告)日: 2003-09-03
发明(设计)人: 陈廉;佟敏;龙瑞斌;陈德敏;曲文生;孙文声;杨柯;王隆保;李依依 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/04
代理公司: 沈阳科苑专利代理有限责任公司 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种纳米晶体AB2型锆基Laves相贮氢电极材料,其特征在于:该贮氢材料为单一C15-Laves相的纳米晶粒材料,化学式为Zr1-xAx(NiaVbMncMd)2+α,其中A为Ti,Nb,Hf,Y,Ta,La,Ce,Nd或Mg之一;M为Cr,Co,Sn,Mo,Fe,Si,Al,W,Cu,Zn,Ag,B,S,C,Pt,Ca,Li或P之一,按质量比计,0≤X≤0.5,0.0005≤b≤0.6,0.001≤c≤0.7,0≤d≤0.2,a+b+c+d=1,α=0或0.1;其制备为首先进行熔体旋转快淬,然后进行真空退火处理。本发明具有高容量、长寿命特性,可适用于高比能量大型Ni-MH电动汽车(EVS)动力电池。
搜索关键词: 一种 纳米 晶体 锆基拉维斯相贮氢 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米晶体AB2型锆基Laves相贮氢电极材料,其特征在于:该贮氢材料为单一C15-Laves相的纳米晶粒材料,化学式为Zr1-xAx(NaVbMncMd)2+α,其中A为Ti,Nb,Hf,Y,Ta,La,Ce,Nd或Mg之一;M为Cr,Co,Sn,Mo,Fe,Si,Al,W,Cu,Zn,Ag,B,S,C,Pt,Ca,Li或P之一;按质量比计,0≤X≤0.5,0.0005≤b≤0.6,0.001≤c≤0.7,0≤d≤0.2,a+b+c+d=1,α=0或0.1。
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