[发明专利]MIS半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98114779.8 | 申请日： | 1994-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1156015C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。 | ||
| 搜索关键词： | mis 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在基片上的绝缘膜上形成的晶体硅半导体层；在所述半导体层上形成的栅绝缘膜；在所述半导体层上形成的栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；在所述栅电极下的半导体层内形成的沟道形成区；在所述半导体层内形成的一对掺杂区，其间具有所述沟道形成区；其中，所述栅电极具有倾斜的侧表面，以及所述沟道形成区与所述一对掺杂区之间的边界相对于所述基片的平面倾斜地沿着所述半导体层的整个厚度延伸。
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