[发明专利]半导体衬底及其制作方法

摘要

为了用较低的成本持续生产没有缺陷的SOI衬底，防止多孔层在分离键合衬底前发生破损，安全便利地完成键合衬底的分离，在一种制造半导体衬底的方法中包括：在表面具有多孔层的第一衬底上形成无孔半导体层，在其上形成绝缘层，将绝缘层键合到第二衬底上，分离多孔层，从而将绝缘层和无孔半导体层转移到第二衬底表面上，形成的第一多孔层具有低孔隙率，将第二多孔层的厚度降低到易破碎的程度，分离第一和第二衬底。

主权项

1.一种半导体衬底制作方法包括以下的步骤：制备具有多孔区域的第一衬底，以及布置在多孔区域上的无孔半导体层；将无孔半导体层键合在第二衬底上；在多孔区域上分离键合的第一和第二衬底；以及去掉遗留在分离的第二衬底上的多孔区域；其特征是：多孔区域包括与无孔半导体层相邻的第一多孔层和具有孔隙率高于并且厚度小于第一多孔层的第二多孔层，而第二多孔层的厚度不超过第一多孔层厚度的80％，并且第二多孔层的孔隙率是30％到60％，所述多孔区域是这样形成的：首先阳极化所述半导体衬底，形成孔隙率低的第一多孔层，然后增大阳极化电流的设定，或降低阳极化液体浓度，或同时增大阳极化电流的设定和降低阳极化液体浓度，并继续阳极化所述半导体衬底，形成孔隙率高的第二多孔层。