[发明专利]平面化半导体基片的方法

摘要

一种平面化半导体基片的方法，利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止；在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层；湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间，第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法，半导体基片具有平的表面。

主权项

1.一种平面化半导体基片的方法，包括以下步骤：制备半导体基片，该半导体基片具有不平的形貌，包括相互邻近的凸出区和凹陷区；在凸出和凹陷区上保形地顺序形成第一和第二绝缘层；湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到在该上部边缘暴露出第一绝缘层的部分；在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第二绝缘层相对于第一或第三绝缘层具有相对大的腐蚀选择性；以及湿法腐蚀第三和第二绝缘层，直到第一绝缘层的上部表面露出为止；其中第二绝缘层比第三绝缘层腐蚀得快。