[发明专利]基片清洗方法及装置无效
申请号: | 98115000.4 | 申请日: | 1998-05-25 |
公开(公告)号: | CN1135605C | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 清木秀充 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/302;B08B3/00;B08B7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨松龄 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基片清洗方法和装置。包括:提供含有微细氩气颗粒或二氧化碳气体颗粒的清洗流体给真空容器中的喷嘴单元,该喷嘴单元中设置喷孔以把清洗流体吹向一组空间,在该组空间内从其前侧到后侧同时安置有一组清洗目标基片;把清洗流体排出到真空容器外部,保持容器内部处于真空状态;分别把一组清洗目标基片安置和固定在一组空间内,当垂直方向移动清洗目标基片和喷嘴单元中的一个而使清洗目标基片和喷嘴单元相对垂直移动时清洗该清洗目标基片;从清洗目标基片的上方提供排出流体,连续把空间内的清洗流体排出。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基片清洗方法,包括下述步骤:提供一种含有微细氩气颗粒或者二氧化碳气体颗粒的清洗流体给喷嘴单元,该喷嘴单元被容纳在一个真空容器中,在该喷嘴单元中,设置喷孔从而把所述清洗流体吹向一组空间,该空间内安置有一组清洗目标基片,使得清洗流体被吹向所述各个基片的两面;把清洗流体排出到所述真空容器的外部,从而保持所述真空容器内部处于真空状态;分别把一组清洗目标基片安置和固定在所述一组空间内,当沿垂直方向移动清洗目标基片和所述喷嘴单元中的一个从而使得清洗目标基片和所述喷嘴单元相对垂直移动时,清洗该清洗目标基片;以及从清洗目标基片的上方提供一种排出流体,从而连续地把所述空间内的所述清洗流体排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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