[发明专利]多阶快闪存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 98115024.1 | 申请日： | 1998-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1230786A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | 王琳松 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/82;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法,该存储单元包括一p型硅基底;一深n井,位于该p型硅基底中;一p井,位于该深n井中;一第一绝缘层,位于该p井表面上;三个浮置栅极,彼此邻近但隔绝,且位于该第一绝缘层上;一源极区和一漏极区,位于该p井中,且分别位于该三个浮置栅极的两侧;一第二绝缘介电层,位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上;以及一控制栅极,位于该第二绝缘介电层表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 多阶快 闪存 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种多阶快闪存储单元，包括：一p型硅基底；一深n井，位于该p型硅基底中；一p井，位于该深n井中；一第一绝缘层，位于该p井表面上；三个浮置栅极，彼此邻近但隔绝，且位于该第一绝缘层上；一源极区和一漏极区，位于该p井中，且分别位于该三个浮置栅极的两侧；一第二绝缘介电层，位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上；以及一控制栅极，位于该第二绝缘介电层表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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