[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 98115044.6 | 申请日： | 1998-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1122305C | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·怀斯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成器件的元件；在衬底上淀积可流动的介电层，该可流动的介电层覆盖器件的元件和衬底；抛光可流动的介电层以产生平整表面；将可流动的介质层加热到足以使其变成粘性的温度，由此使可流动的介质层响应表面张力并流动，以使CMP期间形成的至少一部分划痕愈合；和在可流动的介电层上形成一介电层，所述可流动的介电层和所述介电层的组合厚度等于预定厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成器件的元件；在衬底上淀积可流动的介电层，该可流动的介电层覆盖器件的元件和衬底；用CMP方法抛光可流动的介电层以产生平整表面；将可流动的介质层加热到使其变成粘性的温度，由此使可流动的介质层响应表面张力并流动，以使CMP期间形成的划痕愈合；和在可流动的介电层上形成一介电层，所述可流动的介电层和所述介电层的组合厚度等于预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
