[发明专利]具有高耦合比的快闪存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 98115051.9 | 申请日： | 1998-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1133213C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张格荥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/82;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种具有高耦合比的快闪存储单元，包括一半导体基底；一栅极氧化层，位于该半导体基底之上，且该栅极氧化层包括一薄区域和一厚区域；一浮置栅，位于该薄区域之上；一控制栅，位于该厚区域之上；一漏极区，位于该薄区域之下，且位于该浮置栅之内的基底中；一源极区，位于该厚区域之下，且位于该控制栅之外的基底中；以及一绝缘介电层，位于该控制栅与该浮置栅之间。本发明还涉及该存储单元的单一多晶硅沉积制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耦合 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高耦合比的快闪存储单元，包括：一半导体基底；一栅极氧化层，位于该半导体基底之上，且该栅极氧化层包括一薄区域和一厚区域；一浮置栅，位于该薄区域之上；一控制栅，位于该厚区域之上；一漏极区，位于该薄区域之下，且位于该浮置栅之内的基底中；一源极区，位于该厚区域之下，且位于该控制栅之外的基底中；以及一绝缘介电层，位于该控制栅与该浮置栅之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
