[发明专利]避免碟形凹陷的浅沟槽隔离方法

摘要

一种形成浅沟槽隔离的方法包括在基底上形成衬垫氧化层、介电层和原位掺杂多晶硅层；形成至少一沟槽；沿着沟槽的侧壁与原位掺杂多晶硅层表面，形成氧化物衬层；在氧化物衬层上与沟槽中，形成化学汽相淀积氧化物层；在此氧化物层上，实施氧化物研磨浆化学机械研磨，其在到达原位掺杂多晶硅层表面前停止；及在剩余的氧化物层与原位掺杂多晶硅层上，实施多晶硅研磨浆化学机械研磨，其停止于介电层的表面。

主权项

1.一种在一基底中形成浅沟槽隔离的方法，所述方法包括：在所述基底上形成一衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成介电层；在所述介电层上形成一原位掺杂多晶硅层；在所述基底中形成至少一沟槽；沿着所述至少一沟槽的侧壁与在所述原位掺杂多晶硅层表面上，形成一氧化物衬层；在所述氧化物衬层上与所述至少一沟槽中，形成一化学汽相淀积氧化物层；在所述化学汽相淀积氧化物层上，实施一氧化物研磨浆化学机械研磨，所述氧化物研磨浆化学机械研磨在到达所述原位掺杂多晶硅层表面前停止；以及在所述剩余的化学汽相淀积氧化物层与所述原位掺杂多晶硅层上，实施一多晶硅研磨浆化学机械研磨，所述多晶硅研磨浆化学机械研磨停止于所述介电层的表面。