[发明专利]只读存储器及其制造方法

摘要

一种只读存储器及其制造方法，依序形成隧穿氧化层、第一多晶硅层、底面氧化层与第一氮化硅层于半导体基底上，掩模限定使第一多晶硅层为浮置栅。再在基底形成掺杂区，并形成顶端氧化层及第二氮化硅层于第一氮化硅层上。后回蚀第二氮化硅层，使浮置栅侧壁形成氮化硅间隙壁。后使氧化掺杂区形成蚀刻阻挡层，在间隙壁形成氮氧化硅层并使顶端氧化层致密，形成第二多晶硅层并限定控制栅，再进行源/漏极区的掺杂并完成存储器制作。

主权项

1.一种只读存储器，形成于已设有至少一场氧化层的一半导体基底上，其特征在于，它包括：一隧穿氧化层，形成于所述半导体基底上；一浮置栅，形成于所述隧穿氧化层上；一介电层，形成于所述浮置栅上；一间隙壁，形成于所述浮置栅的侧壁；在所述半导体基底中的一刻蚀阻挡层，是通过在所述半导体基底中进行离子注入，并进行氧化而形成的；一控制栅，形成于所述介电层上；以及多个源/漏极区，形成于所述半导体基底中。