[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法，其电容器下电极包括掺杂非晶硅层、不具掺杂的非晶硅层以及半球型硅晶粒层。在形成有双重金属镶嵌开口的绝缘层中，先形成掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层，其与双重金属镶嵌开口裸露的插塞电耦接。后将绝缘层去除，裸露出掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层形成的下电极架构。在掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层裸露的表面上形成半球型硅晶粒层。

主权项

1.一种动态随机存取存储器电容器下电极的制造方法，其中，所述电容器形成于一插塞的上方；其特征在于，所述电容器下电极的制造方法包括下述步骤：在所述插塞上形成一绝缘层；限定所述绝缘层，形成一双重金属镶嵌开口，裸露出所述插塞；在所述双重金属镶嵌开口中的所述绝缘层与所述插塞的表面上形成一掺杂非晶硅层；在所述掺杂非晶硅层上形成一不具有掺杂的非晶硅层；去除所述绝缘层，以裸露出所述掺杂非晶硅层与所述不具有掺杂的非晶硅层，形成所述下电极的架构；以及在所述掺杂非晶硅层与所述不具有掺杂的非晶硅层的表面形成一半球型硅晶粒层。