[发明专利]插塞的制造方法

摘要

一种插塞的制造方法，包括下列步骤：首先提供基底，此基底上形成有介电层，介电层上形成有开口，开口暴露出基底上用来导通其它结构的区域。然后形成黏着层覆盖开口中用来导通其它结构的区域。接着形成插塞物质层于开口中，并且蚀刻插塞物质层以形成插塞，使插塞的高度约低于介电层，以及以对介电层比对该插塞物质层具有高选择比的蚀刻法蚀介电层，使介电层的高度约等于插塞。

主权项

1.一种插塞的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底上形成有一介电层，其中该介电层上形成有一开口，并且该开口暴露出所述基底上一设置用来电性导通的区域；形成一黏着层，覆盖所述基底上的设置用来电性导通的区域，所述开口中介电层的侧壁，以及介电层；在开口中形成一插塞物质层，插塞物质层填满所述开口；回蚀插塞物质层，使开口中插塞物质层的高度低于介电层，借以形成插塞；以及蚀刻介电层，使该介电层的高度相当于插塞的高度。