[发明专利]分立基板的制造方法无效
| 申请号： | 98115549.9 | 申请日： | 1998-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1152415C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤勉 | 申请（专利权）人： | 直江津电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象，可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方法是在制造平均位错密度在5000个/厘米2以下时的低位错密度的分立基板时，在一定范围内调整扩散前的原料晶片厚度并实施扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅半导体晶片的分立基板的制造方法，它由硅半导体晶片的一侧为扩散层Xj、另一侧为非扩散层Xi的两层结构构成，其非扩散层的平均表面位错密度在5000个/厘米2以下，其特征在于，对硅半导体晶片进行研磨加工，由于此时的加工变形所残存的扩散前的原料晶片厚度T(单位…μm)由下述的公式(1)表示：T＝2Xj+Xi+α …(1)通过满足构成分立基板时所需要的位错密度的方式，由位于80＜α≤930的范围内的公式(1)中的α值确定其预定的扩散前的原料晶片厚度，并对这一原料晶片实施扩散后，便可以获得由两层结构构成的、具有所需要的位错密度的分立基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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