[发明专利]用牺牲可流动氧化物双嵌埋形成多共面金属/绝缘膜的方法有效

专利信息
申请号: 98115627.4 申请日: 1998-06-30
公开(公告)号: CN1146956C 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 克劳斯·费尔德纳;弗林德·格雷沃尔;伯恩德·沃尔默;雷纳·弗罗里安·施纳贝尔 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/302;H01L21/311
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 杨梧
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种穿过置于衬底上的叠层进行双嵌埋腐蚀的改进方法。该叠层包括下器件层和下器件层上的绝缘层。该方法包括步骤:在绝缘层的上表面上形成沟槽,以便沟槽位于下器件层上,并借助于沟槽底部的绝缘材料与下器件层隔离;在绝缘层的上表面上和沟槽内淀积可流动的氧化物,随后,平面化可流动氧化物至大约为绝缘层上表面的水平;穿通沟槽内的可流动氧化物和沟槽底部的绝缘材料向下腐蚀,直到下器件层,由此形成通道。
搜索关键词: 牺牲 流动 氧化物 双嵌埋 形成 多共面 金属 绝缘 方法
【主权项】:
1.一种穿过叠层进行双嵌埋腐蚀的方法,所说叠层包括下器件层和位于下器件层上的绝缘层,所说方法包括以下步骤:在所说绝缘层的上表面上形成沟槽,所说沟槽位于所说下器件层上,并借助所说沟槽底部的绝缘材料与所说下器件层隔离;在所说绝缘层的所说上表面上和所说沟槽内淀积可流动的氧化物;平面化所说可流动氧化物至大约所说绝缘层的所说上表面的水平;穿通所说沟槽内的所说可流动氧化物和所说沟槽底部的绝缘材料向下腐蚀,直到所说下器件层,由此形成通道;以及在所说可流动氧化物上淀积抗反射层,以便于穿通所说可流动氧化物和所说绝缘层进行所说腐蚀。
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