[发明专利]制造双镶嵌结构的方法和结构有效
| 申请号： | 98115629.0 | 申请日： | 1998-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1152413C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 马丁·古奇;德克·托本 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制作双镶嵌结构的方法，包括：在包括至少一个导电区域的半导体基底上形成一牺牲材料层；对该牺牲材料层构图，以便在该导电区域上面形成至少一个柱；在半导体基底上面，环绕该至少一个柱形成一介电层；以及在金属间介电层中形成一导线开口，该至少一个柱的部分暴露在开口范围内。介电层包括一第一介电层和一第二介电层，第一介电层的厚度稍微小于或等于所述至少一个柱的厚度，第二介电层形成在第一介电层之上。本发明利用牺牲性柱并在导线开口和通孔之间的界面处提供了一种改进了的界限明确的边缘。还涉及用来形成双镶嵌结构的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作双镶嵌结构的方法，包括：a)在包括至少一个导电区域的半导体基底上形成一牺牲材料层；b)对该牺牲材料层构图，以便在该导电区域上面形成至少一个柱；c)在半导体基底上面，环绕该至少一个柱形成一介电层，该介电层包括一第一介电层和一第二介电层，第一介电层的厚度小于或等于所述至少一个柱的厚度，第二介电层形成在第一介电层之上；以及d)通过蚀刻第二介电层，在介电层中形成一导线开口，其中第一介电层作为蚀刻中止层，该至少一个柱的部分暴露在开口范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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