[发明专利]制造多晶半导体的方法和装置

摘要

本发明披露了一种制造具有优异结晶学性质的高质量多晶半导体锭的方法和装置。将密封容器(1)的内部保持在对半导体是惰性的气氛中。将半导体原材料(17)加入坩埚(9)中，用电热感应线圈(5)加热半导体原材料(17)，使之熔化。然后移除坩埚底部的热量，使半导体原材料(17)固化，从而获得多晶半导体。当热量释放按保持半导体原材料(17)的固化速度是恒定的预定关系变化时，半导体晶体在从坩埚的底部指向顶部的一个方向上生长。

主权项

1.一种制造多晶半导体的方法，它包括如下步骤：在对半导体(17)是惰性的气氛下将半导体原材料(17)加入坩埚(9)中；在坩埚(9)中用加热装置(4，5)加热并熔化半导体原材料(17)；移除坩埚底部的热量使已熔化的半导体原材料(17)固化；然后在冷却坩埚(9)的同时，冷却固化的半导体(17)，其中来自半导体材料的热量的释放和半导体原材料(17)的固-液界面(18)是移动时的固化速度之间的关系预先被确定，而当熔化的半导体原材料(17)固化时，对来自半导体材料的热量的释放随时间按预定的关系加以控制，其过程是使热量释放从固化步骤的初始阶段到最终阶段是提高的，以保持固化速度恒定，其中通过调节移除坩埚底部热量的冷却介质的流动速度来控制来自半导体材料的热量释放的变化，或者，将坩埚(9)的底部放在具有中空结构的支承架(20)上，这样通过将绝热片插入中空结构或从中抽出来调节从坩埚底部移除的热量就可以控制来自半导体材料的热量释放的变化，和其中半导体原材料(17)是多硅，而多晶半导体是多晶硅。