[发明专利]检测离子束内中性粒子的系统和方法无效

专利信息
申请号: 98116007.7 申请日: 1998-07-13
公开(公告)号: CN1140816C 公开(公告)日: 2004-03-03
发明(设计)人: V·M·本文尼斯特 申请(专利权)人: 艾克塞利斯技术公司
主分类号: G01T5/00 分类号: G01T5/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹光新;张志醒
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种用于离子注入系统(10)的改进的中性粒子检测器(52),用于检测主要包括中性粒子和正电荷离子的离子束的中性粒子含量。中性粒子检测器(52)包括(i)位于负电位的偏束板(78);(ii)相对于偏束板(78)为正电位的第一收集电极(82),用于收集由于离子束内的中性粒子与偏束板(78)撞击由偏束板(78)发射的二次电子;以及(iii)相对于偏束板(78)为正电位的第二收集电极(84),用于收集由于离子束内的正电荷离子与偏束板(78)撞击由偏束板(78)发射的二次电子。偏束板(78)和收集电极(82,84)间隔一段距离,离子束穿过其中。中性粒子检测器(52)确定与离子束传输穿过的残留背景气体的成分或压力无关的离子束的中性粒子比例。
搜索关键词: 检测 离子束 中性 粒子 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于离子注入系统(10)的中性粒子检测器(52),用于检测主要包括中性粒子和正电荷离子的离子束(28)内中性粒子含量,所述中性粒子检测器(52)包括:位于负电位的偏束板(78);相对于所述偏束板(78)位于正电位的第一收集电极(82),用于收集由于离子束内的中性粒子与所述偏束板(78)撞击由所述偏束板(78)发射的二次电子;以及相对于所述偏束板(78)位于正电位的第二收集电极(84),用于收集由于离子束内的正电荷离子与所述偏束板(78)撞击由所述偏束板(78)发射的二次电子,所述偏束板和所述收集电极(82,84)间隔一段距离以让离子束穿过;所述中性粒子检测器(52)还包括对比所述第一收集电极(82)收集到的第一个二次电子发射电流与所述第二收集电极(84)收集到的第二个二次电子发射电流并输出代表包括中性粒子的那部分束(28)的校正信号(100)的逻辑电路部分(98)。
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