[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 98116272.X | 申请日： | 1998-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1111869C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 藤田真盛 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,李亚非 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器，包括多个存储单元阵列，每个存储单元阵列含有一个备份存储单元。每个存储单元阵列和数据输入-输出端的连接可以简单地由外部输入信号根据多种输入-输出的数据宽度进行导通。每个备份存储单元将外部输入的外部地址的每一位与已储存在存储单元内的内部地址的每一位进行比较。根据备份判断电路输出的检测信号检测出两个地址相同，并替换该地址的存储单元。替换不只是在有备份存储单元的存储单元阵列中实现，而且还可以在不同的存储单元阵列中实现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：至少两个存储单元阵列，每个存储单元阵列中至少包括一个备份存储单元和多个存储单元；比较外部输入的外部地址信号和内部地址的比较电路，并输出一个检测信号，该信号表示两个地址是否相同，当地址相同时，激活相应的备份存储单元；可以选择存储单元阵列的输入-输出数据宽度的输入-输出数据宽度变换电路；和选择电路，该选择电路根据输入-输出数据宽度变换电路选择的输入-输出数据宽度和由比较电路输出的检测信号来激活或不激活响应的存储单元阵列；其中当由输入-输出数据宽度变换电路改变输入-输出数据宽度时，由比较电路比较的外部地址信号的数字量也改变。
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