[发明专利]改进的深紫外线光刻技术无效
| 申请号： | 98116275.4 | 申请日： | 1998-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1213789A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 鲁志坚 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造可以改进光致抗蚀剂分辨率和工艺窗口的抗反射层的方法包括提供一第一体积的有机抗反射化学品;提供一第二体积的光－酸发生元化学品,第二体积是第一体积的0.01%～30%;基本同时混合第一体积的有机抗反射化学品和第二体积的光－酸发生元化学品,以得到一增强抗反射化学品,其酸水平得到提高,其中,增强抗反射化学品酸水平的增加减少了后续在抗反射涂层(ARC)的界面上旋涂深紫光致抗蚀剂层的酸损的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 深紫 外线 光刻 技术 | ||
【主权项】：
1．一种用于制造可以改进光致抗蚀剂分辨率和工艺窗口的抗反射层的方法。该方法包括：提供一第一体积的有机抗反射化学品；提供一第二体积的光-酸发生元化学品，第二体积约是第一体积的约0.01％～约30％；基本同时混合第一体积的有机抗反射化学品和第二体积的光-酸发生元化学品，以得到一增强抗反射化学品，其具有提高的酸水平。
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