[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 98116351.3 | 申请日： | 1995-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1221984A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小原一刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括具有电平移动功能的寄存器(4)的半导体集成电路,还包括第一逻辑门电路(3、7);第二逻辑门电路(5),第一逻辑门电路位于寄存器(4)的输入侧,而第二逻辑门电路位于其输出侧,所述寄存器(4)接收并存储一低压驱动的第一逻辑门电路的低压输出信号并将该低压信号的电平变换成高压信号的电平,然后将该高压信号输出到高压驱动的第二逻辑门电路(5a)。利用这种半导体集成电路,可简单进行电路设计,并能实现半导体集成电路的低功耗化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1．一种具有电平移位功能的寄存器(4)，该寄存器接收并存储一低压输出信号，并将该存储的低压信号的电平变换成高压信号的电平，然后输出该高压信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
