[发明专利]半导体衬底上的对准标记及其制造方法

摘要

本发明涉及在如半导体集成电路等的半导体元件的制造期间用于对准使用的半导体衬底的对准标记及其制造方法。根据本发明的对准标记(2)，在制造半导体元件的光刻工艺期间用于对准半导体衬底(3)，包括宽度近似等于形成在半导体衬底(3)表面形成的电路元件(1)宽度的槽形图形(11)。由于槽形图形(11)的宽度近似等于电路元件(1)的宽度，即使在形成电路元件(1)的同时形成对准标记(2)，在如深腐蚀的工艺期间不必过量除去槽形图形(11)，就可以在半导体衬底(3)的表面上形成可靠的槽形图形(11)。因此，可以在形成半导体电路元件的同时制备清楚的对准标记，且不存在任何塌陷或分离的危险。

主权项

1.一种半导体衬底上的对准标记，包括：宽度近似等于在所述半导体衬底表面形成的电路元件的槽形图形，当制造电路元件而进行在所述半导体衬底的表面上形成光刻胶膜的步骤、由构成所述电路元件的材料形成膜的步骤以及腐蚀构成所述电路元件的所述材料以获得需要的形状的步骤时，在所述步骤的同时进行相同的步骤形成该槽形图形，其中，所述电路元件为存储节点，所述槽形图形由构成所述存储节点的相同材料构成。