[发明专利]自旋阀磁头及其制作方法和使用自旋阀磁头的磁盘驱动器无效

专利信息
申请号: 98116655.5 申请日: 1998-07-29
公开(公告)号: CN1142542C 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 田河育也;山田健一郎;上原佑二 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 自旋阀磁头,包括自旋阀膜,该膜至少具有被钉扎磁层、非磁金属层和自由磁层,用于控制自由磁层磁畴的硬磁层,和用于向自旋阀膜提供传感电流的电极元件;其中,硬磁层和自由磁层被定位成在自旋阀膜厚度方向上的硬磁层的垂直投影和在自旋阀膜厚度方向上的自由磁层的垂直投影是不重叠的。根据上述结构,能够得到在自由磁层的整个表面上不产生反磁场区的单一磁畴结构,从而在自旋阀磁头输出中不产生磁滞现象。因此,能得出没有噪声的输出。
搜索关键词: 自旋 磁头 及其 制作方法 使用 磁盘驱动器
【主权项】:
1.一种自旋阀磁头,包括:一个自旋阀膜,它至少具有一个被钉扎磁层、一个非磁金属层、和一个自由磁层;一个硬磁层,用于控制自由磁层的磁畴;和电极元件,用于向自旋阀膜提供传感电流;其中,硬磁层和自由磁层被定位成,不重迭自旋阀膜厚度方向上的硬磁层的垂直投影和自旋阀膜厚度方向上的自由磁层的垂直投影。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98116655.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top