[发明专利]立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98116669.5 | 申请日： | 1998-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1149638C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 油利正昭;上田哲三;马场孝明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的是在立方晶体Ⅲ-V族化合物半导体衬底上边，形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是：具有含铝的立方晶体半导体层，在氮化合物气氛中加热该半导体层2，使半导体层的一个表面氮化，之后，采用向上述半导体层上供给氮化合物和含Ⅲ族元素的化合物的办法，在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层3。 | ||
| 搜索关键词： | 立方 晶体 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种立方晶体氮化物半导体器件，其特征是：对含铝的立方晶体半导体层的一个表面进行氮化，从而在该表面上形成立方晶体氮化物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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